MRF7S19080HR3 MRF7S19080HSR3
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Figure 17. MRF7S19080HR3(HSR3) Test Circuit Component Layout ? TD--SCDMA
R1
CUT OUT AREA
HV7
2.1 GHz
NI780
Rev. 1
R2
C6
C2
C3 C4
C5
C1
C8
C12
C13
C9
C10
C11
C7
相关PDF资料
MRF7S19100NR1 MOSFET RF N-CH 28V 29W TO270-4
MRF7S19120NR1 MOSFET RF N-CH TO-270-4
MRF7S19170HSR5 IC MOSFET RF N-CHAN NI-880S
MRF7S19210HSR5 MOSFET RF N-CH 28V 63W NI780S
MRF7S21080HSR5 MOSFET RF N-CH 22W NI-780S
MRF7S21110HSR5 MOSFET RF N-CH 33W NI-780S
MRF7S21150HSR5 MOSFET RF N-CH 150W NI780S
MRF7S21170HR5 IC MOSFET RF N-CHAN NI-880
相关代理商/技术参数
MRF7S19100NBR1 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1990MHZ 29W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S19100NR1 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1990MHZ 29W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S19100NR1_08 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF7S19120NR1 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1990MHZ 36W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S19120NR1_09 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF7S19170HR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.9GHZ 50W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S19170HR3_08 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF7S19170HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.9GHZ 50W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray